8月4日，蓝旗科技发布了一份投资者调查报告，回应了该公司当前的研究项目，研发进展和预期的量产时间，DDR5相关的支持芯片等问题。关于公司目前的研究项目，蓝旗科技表示，公司目前的研究项目主要分为三类：1.接口芯片。包括DDR5存储器接口芯片及其支持芯片（串行检测芯片（SPD），温度传感器（TS），电源管理芯片（PMIC））； PCIe 4.0重定时器芯片。 2. Jintide服务器CPU和混合安全性内存模块。 3.人工智能芯片。据了解，蓝旗科技已于2019年完成了满足JEDEC标准的DDR5第一代RCD和DB芯片工程样品的流片。这些工程样品将在下半年发送给公司的主要客户和合作伙伴进行测试和评估。该公司计划于2019年完成研发。DDR5第一代内存接口及其支持芯片的量产版本计划于2020年完成研发。实际量产时间取决于服务器生态系统的成熟度。 DDR5内存模块的支持芯片将与DDR5内存接口芯片和DDR5内存颗粒一起构成DDR5内存模块的整体解决方案。至于量产时间，蓝旗科技表示，根据业界的普遍预测，第一代DDR5有望在2021年底至2022年上半年之间实现量产。蓝旗科技目前正在合作的主要晶圆代工厂商是台积电和富士通电子，合作的封装和测试供应商主要是斯塔克·金鹏和四品科技。 21ic家族注意到，蓝旗科技是一家成立于2004年的国内知名集成电路设计公司。它已经进入内存接口芯片市场超过十年，并先后推出了DDR2，DDR3，DDR4，DDR5系列高速度快，大容量的内存缓冲解决方案满足对云计算数据中心对数据速率和容量不断增长的需求的解决方案。所谓的内存缓冲芯片是内存模块的核心设备（也称为内存条），是CPU访问内存数据的唯一方法。它的主要功能是提高内存数据访问的速度和稳定性，以匹配不断增加的CPU运行速度和性能。内存缓冲芯片需要与内存制造商生产的各种内存颗粒和内存模块匹配，并通过其功能和性能（例如稳定性，运行速度，功耗，等）进入大规模商业化阶段。由于技术门槛很高，因此没有多少制造商成功地批量生产了这种芯片。据了解，蓝旗科技的DDR4内存缓冲产品已经成功进入全球主流内存，服务器和云计算领域，占据了国际市场的主要份额。除了DDR内存缓冲芯片外，自2016年以来，蓝旗科技还与清华大学和英特尔合作开发了Jintide系列服务器CPU及其平台，以为数据中心提供高性能，高安全性和高可靠性的CPU。 ，混合安全内存模块和其他产品。