10月14日，三安集成连续第四次参加电子设计创新大会（EDICON），与通信行业的同事讨论该行业的热门话题。在此次展会上，三安集成带来了最新的突破性第三代HBT和ED-modepHEMT工艺技术，为客户提供了两次技术交流和共享会议。三安集成继续投资于砷化镓射频芯片制造工艺领域，并不断提高工艺水平。第三代HBT工艺可以应用于HPUE / APTPA，提供更高的功率密度和PAE水平，并为高频消费产品的客户提供支持。通信应用程序要求。此外，还批量生产了0.1 / 0.15 / 0.25umpHEMT工艺，可以为客户提供世界一流的生产能力和性能水平。展览期间，砷化镓射频事业部总监林义树介绍了Sanan Integration在5G应用市场上的服务能力。为了满足射频前端模块中客户的设计需求，三安集成还积极构建滤波器产业链。它在日本建立了研发中心，以收集国际前沿的科学研究智慧，及时响应市场趋势，并为客户提供最新的技术成果； 3.一家集成制造商在其位于泉州南安的制造基地中建立了完整的过滤器供应链，并进行垂直集成的研发与设计，基板材料，芯片制造以及封装和测试，以确保稳定，连续的供应。生产能力。预计到2021年第二季度将达到生产能力。可以达到120Mu /月。滤波器部门的经理谢向正还分享了表面声波（SAW）滤波器仿真的相关主题。 SananICStandatEDICONChina2020凭借近20年的化合物半导体制造经验，专业的设计支持团队和丰富的生产能力，为微波射频，电力电子和光学技术领域的客户提供标准化和定制的生产服务。原始标题：Sanan Integration继续投资于砷化镓射频芯片，并积极建立滤波器产业链。文章来源：[微信公众号：MEMS]欢迎大家关注！请指出转载文章的来源。