氮化镓（GaN）为便携式产品提供了更小，更轻，更高效的台式AC-DC电源。氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。当用于电源中时，GaN比传统硅具有更高的效率，更小的尺寸和更轻的重量。传统的硅晶体管有两种损耗，导通损耗和开关损耗。功率晶体管是开关电源中功率损耗的主要原因。为了防止这些损耗，GaN晶体管的发展（以替代旧的硅技术）一直是电力电子行业的重点。氮化镓在关键领域显示出优于硅的显着优势，这使电源制造商能够显着提高效率。当电流流过晶体管时，在开关状态转换期间会发生开关损耗。在给定的击穿电压下，GaN的电阻以及随后的开关和传导损耗都比硅小，因此GaN适配器的效率可达到95％。氮化镓相对于硅的优势由于GaN器件具有比硅更好的导热性和更高的温度，因此电源的整体尺寸可能会大大减小，这可以减少对热管理组件（例如大型散热器，机架或风扇）的需求。消除了这些内部组件并提高了开关频率，不仅使电源更轻，而且更紧凑。晶体管的优点高速，低电阻率和低饱和度开关意味着它们有望在电力电子技术中找到许多应用案例。因此，业界正在研究新的电力电子系统结构，电路拓扑和封装解决方案，以实现和优化GaN提供的各种系统优势。 GaNAC-DC桌面电源适配器实现了GaN技术的优势，CUI推出了首款GaN驱动的桌面适配器SDI200G-U和SDI200G-UD系列。紧凑的新型功率模型比非GaN同类产品轻32％，提供200瓦的连续功率，并设计用于各种便携式工业和消费类产品。重量下降已从820克大幅减少到560克。该适配器提供了更高的开关频率，这也将其体积减小了一半以上。这将功率密度从5.3瓦特/立方英寸增加到11.4瓦特/立方英寸。 SDI200G-U系列提供三针（C14）进气口，而SDI200G-UD具有双针（C8）进气口。尺寸为5.91x2.13x1.3英寸（150x54x33毫米），SDI200G-U和SDI200G-UD符合UL / EN / IEC62368-1和60950-1的要求。这些台式机适配器的特点是功率密度提高了250％，空载功耗低至210兆瓦，通用输入电压范围为90至264伏交流电。 SDI200G-U和SDI200G-UD为用户提供了一个紧凑而高效的桌面适配器，适用于便携式电源和精美的应用。