光照对半导体电阻率的影响

电阻率是半导体的重要参数之一。半导体材料的电阻率范围介于金属和绝缘体之间，其特性和性能受到多种因素的影响。

温度、掺杂浓度、结构和晶粒尺寸以及负载效应都对半导体的电阻率有显著影响。半导体材料的电阻率特殊范围在集成电路、

光电子器件等领域具有广阔的应用前景，促进了现代电子技术和信息社会的发展。

半导体最常见的应用有：集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明应用和大功率功率功率转换等领域。

在光的作用下，半导体材料吸收入射光子的能量。如果光子能量大于或等于半导体材料的带隙宽度，则电子空穴对被激发，

导致载流子浓度增加、半导体导电性增加和电阻降低。这种现象被称为光电导效应。

温度对本征半导体的影响主要是由于迁移率的降低，这会影响导电性。

（然而，对于掺杂半导体来说，这可能会很麻烦，并影响迁移率和电荷载流子。）。

光照激发会产生光生非平衡载流子，改变载流子浓度以产生额外的导电性。（但迁移率基本保持不变）