英特尔推出10nm SuperFin技术，性能提升可媲美全节点转换

消息，8月13日今晚，英特尔正式推出了10纳米SuperFin技术。正式而言，这是该公司有史以来最强大的单节点性能增强，并且带来的性能提升可与全节点转换相媲美。
英特尔表示，经过对FinFET晶体管技术的多年改进，英特尔正在重新定义该技术，以实现其历史上最强大的单节点性能增强。 10nm SuperFin技术具有以下特征：增强源极和漏极上晶体结构的延伸，从而增加应变并减小电阻，允许更多的电流通过沟道，改善栅极工艺以实现更高的沟道迁移率，从而电荷载流子移动得更快。
提供额外的栅极间距选项，以为需要最高性能的芯片功能提供更高的驱动电流。新的薄壁势垒将通孔电阻降低了30％，从而提高了互连性能。
与行业标准相比，在相同的占位面积上，电容增加了5倍，从而降低了电压降并显着提高了产品性能。该技术通过新型的“ High-K”实现。
（Hi-K）介电材料，可以堆叠成厚度仅为几埃的超薄层，以形成重复的“超晶格”。结构体。
这是业界领先的技术，领先于其他芯片制造商的现有功能。可以理解，将在代号为“ Tiger Lake”的英特尔下一代移动处理器中使用10nm SuperFin技术。
Tiger Lake正在生产中，OEM产品将在假日季节提供。