半导体中存在两种载流子，即价带中的空穴和导带中的电子。

主要由电子传导构成的半导体称为N型半导体，空穴传导半导体则相反。

它被称为P型半导体。

＆QUOT; N＆QUOT;意味着负面力量的含义，取自英语否定的第一个字母。

在这种半导体中，导电（即导电载流子）主要是来自半导体中的施主的带负电荷的电子。

掺杂施主杂质或比受体更多的施主的半导体是N型半导体。

例如，诸如锗或硅的半导体，其含有适量的五价元素，例如砷，磷或锑。

由于N型半导体中的正电荷量和负电荷量相等，所以N型半导体是电中性的。

自由电子主要由杂质原子提供，空穴通过热激发形成。

掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度越高，电导率越强。

掺杂和缺陷都会导致导带中电子浓度的增加。

对于锗和硅基半导体材料，掺杂有V族元素（磷，砷，锑等），当杂质原子以取代方式取代晶格中的锗时。

在硅原子的情况下，可以提供除共价键的配位之外的过量电子，这导致半导体中的导带的电子浓度增加，其通常被称为a的供体。

供体III-V族化合物半导体。

使用IV或VI元素。

某些氧化物半导体，例如ZnO，Ta2O5等，通常表现出缺氧，并且这些氧空位可以表现出供体的作用。

因此，这种氧化物通常是电子导电的，即它是N型半导体，它通过真空加热以进一步提高氧缺乏程度，这表现为更强的电子传导性。